In Österreich bereitet Infineon eine Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungschips vor. Der Standort Villach übernimmt dabei eine zentrale Rolle innerhalb Europas. Die Produktion basiert auf Wafern mit 300 Millimetern Durchmesser. Das Unternehmen plant Investitionen von rund 1,1 Milliarden Euro. Diese fließen bis 2034 in vorhandene Reinräume und Prozessanlagen. Ende 2027 ist der Beginn der regulären Produktion vorgesehen. Die Fertigungskapazität wird an den Bedarf wichtiger Anwendungsbereiche gekoppelt.
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Infineon setzt für GaN-Leistungshalbleiter künftig auf 300-Millimeter-Wafer in Villach
Infineon entwickelt Villach mit einer 300-Millimeter-GaN-Fertigung gezielt weiter. Die neue Basis ist für hohe Stückzahlen moderner Leistungshalbleiter ausgelegt. Große Wafer ermöglichen eine umfangreiche Chipproduktion innerhalb einzelner Bearbeitungsschritte. Dies unterstützt eine effiziente Skalierung der Galliumnitrid-Technologie für industrielle Anwendungen. Gleichzeitig entstehen Voraussetzungen für stabile Prozesse bei wachsender Nachfrage. Der Standort verbindet Fertigungsinfrastruktur mit umfassender technischer Erfahrung im Leistungsbereich. Villach wird international als Kompetenzzentrum für innovative Halbleiterlösungen weiter gefestigt.
Villach baut GaN-Kapazitäten auf Grundlage bestehender Reinraumflächen gezielt aus
Die vorhandenen Reinräume in Villach werden für neue Aufgaben vorbereitet. Infineon erneuert dafür technische Komponenten und passt Prozessbereiche an systematisch. Der Ausbau basiert somit auf bereits vorhandenen Flächen und Anschlüssen. Ein zusätzlicher Fabrikbau wäre deutlich komplexer und kostenintensiver aus Sicht. Die Weiterverwendung verkürzt Bauphasen und begrenzt den Infrastrukturbedarf erheblich zugleich. Produktionsvolumen wird schrittweise aufgebaut und an Marktimpulse gekoppelt bleiben künftig. Dadurch bleibt die Investitionsplanung auch bei wechselnder Nachfrage steuerbar insgesamt.
Neue Fertigung fokussiert energieeffiziente Halbleiter für zentrale Industrieanwendungen weltweit
GaN-Bauelemente optimieren Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit niedrigeren Verlusten umwandeln. Diese Eigenschaften unterstützen die Entwicklung platzsparender Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung adressiert daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
GaN-Hochlauf in Villach folgt tatsächlichem Bedarf der Halbleitermärkte künftig
Infineon will die Produktion von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern in Villach Ende 2027 beginnen. Bis 2034 sind dafür Ausgaben von rund 1,1 Milliarden Euro eingeplant. Der geplante Hochlauf berücksichtigt die jeweilige Marktlage und soll sich an tatsächlichen Kundenabrufen orientieren. Kapazitäten werden deshalb nur in dem Umfang erweitert, wie sie für eine wirtschaftliche Versorgung erforderlich sind. Diese Vorgehensweise erleichtert die Anpassung von Produktionsmengen an veränderte Nachfrage in wichtigen Einsatzfeldern für moderne Leistungselektronik.
Chips-Act-Förderung schafft neue Produktionsreserven für Europas Leistungshalbleitermarkt auf Dauer
Das Projekt wird mit 319 Millionen Euro aus europäischen Fördermitteln unterstützt. Grundlage ist der Europäische Chips Act, der den Ausbau strategisch wichtiger Halbleiterkapazitäten in Europa vorantreibt. Die Förderung ermöglicht eine Hochvolumenfertigung für moderne Leistungshalbleiter und stärkt damit die regionale Produktionsbasis. Unternehmen aus verschiedenen Industriebranchen können von einer besseren Verfügbarkeit entsprechender Komponenten profitieren. Gleichzeitig erhöht das Vorhaben Europas Fähigkeit, zentrale Technologien selbst zu fertigen, Lieferketten abzusichern und die wirtschaftliche Widerstandskraft langfristig auszubauen.
Die GaN-Investition nutzt bestehende Produktionsflächen als Fundament weiterer Industriekapazitäten gezielt. Infineon vermeidet damit den Bau zusätzlicher Reinraumgebäude weitgehend am Standort. Moderne 300-Millimeter-Prozesse ermöglichen die wirtschaftliche Herstellung großer Chipmengen langfristig dort. Die Produkte sind für effiziente Energieversorgung in Hochleistungsanwendungen konzipiert speziell. KI-Rechenzentren profitieren von geringeren Verlusten bei der elektrischen Leistungswandlung besonders. Auch Industrie Mobilität und Konsumgeräte erhalten Zugang zu moderner Technik. Der Europäische Chips Act verankert solche Produktionskapazitäten regional und strategisch.
